Generar la descarga
El plasma se establece en baja presión delante de la superficie de la muestra.
De la caracterización rápida de ligas y revestimientos a la determinación de impurezas en niveles ultratrazo: dos rutas complementarias para revelar composición, pureza y distribución de los elementos en profundidad.


La muestra es posicionada en la fuente como cátodo. En baja presión, el argón forma un plasma; sus iones bombardean un área controlada de la superficie y liberan material por sputtering. La información analítica cambia conforme la ruta de detección.
Un área definida de la superficie está expuesta al gas de descarga, sin disolución química del sólido.
Iones Ar+ aceleran contra la muestra y eliminan átomos sucesivamente, formando un cráter controlado.
Atomos excitados emiten luz; especies ionizadas pueden ser extraídas y separadas según la masa.
El perfil en profundidad se construye relacionando la señal al tiempo de erosión. La conversión a profundidad puede usar calibración de la tasa de sputtering o medición directa, según el sistema y la configuración.
El plasma se establece en baja presión delante de la superficie de la muestra.
El sputtering expone sucesivamente revestimientos, interfaces y sustrato.
OES para rapidez y perfiles; MS para alta pureza, trazos y ultratrazos.
Seleccione la prioridad del análisis para ver la ruta inicialmente más adecuada. La configuración final depende de la matriz, de la geometría de la muestra y de la franja analítica.
La selección de la técnica depende del material y del objetivo analítico.
Para investigar composición, espesor, interfaces y difusión en películas delgadas o capas gruesas con lectura simultánea y alta velocidad.
El hub no trata una técnica como evolución de la otra. Cada sistema ocupa una franja de decisión específica dentro de la caracterización de materiales.
OESGD-OES Pulsed-RF para análisis rápido y simultáneo de la composición elemental, de la superficie al material a granel.
MSGD-MS de alta resolución para análisis directo de sólidos de alta pureza y determinación robusta de trazos y ultratrazos.
La ruta puede cambiar según el objetivo. Un mismo sector puede usar GD-OES para capas y GD-MS para impurezas en niveles muy bajos.
Composición, tratamientos superficiales, segregación, difusión y control de proceso.
GD-OES + GD-MSEspesura, interfaces, gradientes y distribución elemental en profundidad.
Prioridad GD-OESImpurezas críticas en metales, aleaciones especiales y materiales tecnológicos.
Prioridad GD-MSSilicio, objetivos de sputtering, wafers, capas funcionales y contaminantes.
GD-OES + GD-MSElectrodos, interfaces, materiales activos, difusión y impurezas elementales.
GD-OES + GD-MSSuperligas de níquel, titanio, recubrimientos y capas de difusión.
GD-OES + GD-MSPelículas delgadas, células solares, contactos metálicos y materiales electrónicos.
GD-OES + GD-MSDesarrollo, fallas, comparación de procesos y caracterización avanzada.
Conforme objetivoUna visión práctica de las diferencias de posicionamiento. Valores finales dependen de la configuración, del elemento y de la matriz analizada.
| Criterio | GD-OES · GD-Profiler 2 | GD-MS · ELEMENT GD Plus |
|---|---|---|
| Foco principal | Velocidad, composición y perfiles de capas | Alta pureza, trazo y ultratrazo |
| Detección | Emisión óptica simultánea | Espectrometría de masas de alta resolución |
| Rango típico de interés | De constituyentes mayoritarios a niveles bajos, conforme elemento y matriz | De la matriz a trazos y ultratrazos; muchos elementos en la franja de ppb |
| Perfil de profundidad | Adecuado para análisis de rutina, películas y estructuras multicapa | Disponible con alta sensibilidad elemental |
| Materiales | Conductores, no conductores e híbridos con fuente RF pulsada | Conductores y muchos no conductores, conforme preparación y configuración |
| Productividad | Muy alta; análisis simultáneo y rápido | Alta para GD-MS; hasta 5 muestras por hora en aplicaciones adecuadas |
| Interferencias espectrales | Selección de líneas y configuración óptica | Tres resoluciones fijas para separación de interferencias |
| Aplicación principal | “ ¿Cómo cambia la composición de la superficie al sustrato?” | “¿Cuántas impurezas existen y en qué nivel en el material? " |
El análisis por Glow Discharge se encuentra y destructiva: la pulverización forma un cráter en la región medida. La SENS evalúa la muestra, objetivo y requisitos antes de definir la solución.
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Catálogo técnico · Pulsed-RF GD-OES y DiP
Catálogo técnico · GD-MS de alta resolución
Los documentos son materiales oficiales de sus fabricantes y se han incorporado a la consulta local.
La decisión comienza por la matriz, concentración esperada, geometría de la muestra e información deseada en profundidad.
El GD-OES prioriza velocidad, análisis simultáneo y perfiles elementales de capas. El GD-MS de alta resolución prioriza sensibilidad, selectividad y cuantificación de trazos y ultratrazos en materiales de alta pureza.
Sí. La superficie se pulveriza de forma controlada por un plasma de baja presión. El material retirado es analizado por emisión óptica en el GD-OES o por espectrometría de masas en el GD-MS.
Sí. Como la eliminación ocurre capa la capa, las dos técnicas pueden acompañar la distribución elemental en profundidad. El desempeño depende del material, del espesor y de las condiciones de análisis.
Sí. El proceso forma un cráter localizado en la muestra. El área y la profundidad varían con el sistema, la geometría y el método analítico.
Sí. El equipo evalúa matriz, formato, intervalo analítico, elementos críticos, productividad y necesidad de perfiles de profundidad para orientar la tecnología y la configuración.
Informe a la SENS la matriz, el objetivo analítico y la franja de concentración esperada.