Perfil elementar ultrarrápido
Taxas típicas de erosão na ordem de micrômetros por minuto permitem acompanhar processos, lotes e múltiplos pontos da amostra.
Caracterização elementar rápida de materiais em camadas, com emissão óptica simultânea, fonte RF pulsada e medição direta da profundidade por interferometria diferencial.

O sistema combina sputtering rápido, detecção óptica simultânea e recursos dedicados à conversão do sinal em concentração e profundidade.
Taxas típicas de erosão na ordem de micrômetros por minuto permitem acompanhar processos, lotes e múltiplos pontos da amostra.
Perfis com resolução nanométrica ou subnanométrica em aplicações adequadas, estendendo-se a camadas com mais de 150 µm.
Detecção óptica de alta dinâmica para acompanhar simultaneamente elementos de interesse ao longo do perfil.
A fonte RF pulsada amplia a análise para isolantes, materiais híbridos, polímeros e amostras sensíveis ao calor.
O DiP mede a profundidade e a taxa de erosão em tempo real, simultaneamente ao perfil GD.
Cobertura óptica do VUV ao IR para linhas de elementos leves e espécies relevantes em materiais tecnológicos.
A fonte separa espacialmente erosão e emissão, favorecendo uma relação direta entre intensidade óptica e concentração no plasma.
A superfície é colocada contra o O-ring e diante do tubo anódico da fonte.
O plasma de argônio em baixa pressão inicia a pulverização controlada.
O sistema acompanha simultaneamente as linhas dos elementos ao longo do tempo.
O Quantum processa concentração, espessura e interfaces; o DiP pode medir a profundidade diretamente.
O GD-Profiler 2 é especialmente útil quando a pergunta envolve superfície, revestimento, interface, gradiente ou substrato.
Eletrodos positivos e negativos, camadas espessas e interfaces superficiais, inclusive estratégias para amostras sensíveis ao ar.
Perfis em profundidade de nitrogênio, carbono e outros elementos em tratamentos de aços e ligas.
Controle de processos, interfaces e estruturas multicamadas com alta resolução em profundidade.
Espessura, uniformidade, composição, defeitos e interações entre coating e substrato.
Medição direta de H e possibilidade de acompanhar H e D simultaneamente em aplicações específicas.
Filmes funcionais, células solares, contatos, camadas transparentes e desenvolvimento de processos.
Perfis rápidos em camadas poliméricas, isolantes e combinações orgânico-inorgânicas.
Multicamadas, gradientes, óxidos, superfícies funcionais e estudos de difusão e falhas.
A arquitetura foi desenvolvida para manter velocidade, resolução em profundidade e flexibilidade de materiais na mesma plataforma.
Consultar catálogo completoDados resumidos do catálogo oficial HORIBA. O desempenho depende da configuração óptica, do anodo, do material, da calibração e das condições de análise.
A matriz, a geometria, a concentração esperada e o tipo de informação desejada determinam o método e os acessórios necessários.
Arquivo oficial incorporado nesta página. O download funciona sem abrir servidores externos.
Catálogo técnico oficial HORIBA com princípio, desempenho, aplicações, fonte, óptica, software e acessórios.
Informações para a avaliação inicial da aplicação.
Sim. A fonte RF pulsada permite trabalhar com materiais condutores e não condutores, além de estruturas híbridas, conforme geometria e método.
Com o recurso DiP, a interferometria diferencial mede a profundidade e a taxa de erosão simultaneamente à análise GD. Sem DiP, a conversão pode usar calibração da taxa de erosão.
O catálogo posiciona o sistema desde o primeiro nanômetro até mais de 150 micrômetros, dependendo do material, da camada, do anodo e das condições analíticas.
Sim. A descarga pulveriza uma área localizada e produz uma cratera na amostra.
Sim. O Sample Mapping Unit opcional pode automatizar medições em diferentes pontos ou em um lote de amostras compatíveis.
Envie à SENS a composição esperada, o tipo de camada, a espessura e a geometria disponível para análise.