HORIBA · Pulsed-RF GD-OES

GD-Profiler 2: composição elementar em profundidade

Caracterização elementar rápida de materiais em camadas, com emissão óptica simultânea, fonte RF pulsada e medição direta da profundidade por interferometria diferencial.

Filmes finos e espessosCondutores e isolantesDepth profilingElementos leves
Diferenciais analíticos

Velocidade para enxergar toda a estrutura da camada

O sistema combina sputtering rápido, detecção óptica simultânea e recursos dedicados à conversão do sinal em concentração e profundidade.

01

Perfil elementar ultrarrápido

Taxas típicas de erosão na ordem de micrômetros por minuto permitem acompanhar processos, lotes e múltiplos pontos da amostra.

02

Resolução da superfície ao substrato

Perfis com resolução nanométrica ou subnanométrica em aplicações adequadas, estendendo-se a camadas com mais de 150 µm.

03

Todos os elementos simultaneamente

Detecção óptica de alta dinâmica para acompanhar simultaneamente elementos de interesse ao longo do perfil.

04

Condutores e não condutores

A fonte RF pulsada amplia a análise para isolantes, materiais híbridos, polímeros e amostras sensíveis ao calor.

05

Profundidade medida durante a análise

O DiP mede a profundidade e a taxa de erosão em tempo real, simultaneamente ao perfil GD.

06

Do hidrogênio ao infravermelho

Cobertura óptica do VUV ao IR para linhas de elementos leves e espécies relevantes em materiais tecnológicos.

120–800 nmCobertura espectral
2–10 nm/sErosão típica indicada
>150 µmProfundidade em aplicações adequadas
Do sólido ao resultado

Um perfil construído camada a camada

A fonte separa espacialmente erosão e emissão, favorecendo uma relação direta entre intensidade óptica e concentração no plasma.

01

Posicionar a amostra

A superfície é colocada contra o O-ring e diante do tubo anódico da fonte.

02

Estabelecer o plasma RF

O plasma de argônio em baixa pressão inicia a pulverização controlada.

03

Medir a emissão

O sistema acompanha simultaneamente as linhas dos elementos ao longo do tempo.

04

Converter em profundidade

O Quantum processa concentração, espessura e interfaces; o DiP pode medir a profundidade diretamente.

Aplicações

Materiais em que a distribuição importa tanto quanto a composição

O GD-Profiler 2 é especialmente útil quando a pergunta envolve superfície, revestimento, interface, gradiente ou substrato.

Li

Baterias

Eletrodos positivos e negativos, camadas espessas e interfaces superficiais, inclusive estratégias para amostras sensíveis ao ar.

N

Nitretação e difusão

Perfis em profundidade de nitrogênio, carbono e outros elementos em tratamentos de aços e ligas.

LED

LED e semicondutores

Controle de processos, interfaces e estruturas multicamadas com alta resolução em profundidade.

Zn

Revestimentos metálicos

Espessura, uniformidade, composição, defeitos e interações entre coating e substrato.

H

Hidrogênio e deutério

Medição direta de H e possibilidade de acompanhar H e D simultaneamente em aplicações específicas.

PV

Fotovoltaicos

Filmes funcionais, células solares, contatos, camadas transparentes e desenvolvimento de processos.

P

Polímeros e híbridos

Perfis rápidos em camadas poliméricas, isolantes e combinações orgânico-inorgânicas.

R&D

Materiais avançados

Multicamadas, gradientes, óxidos, superfícies funcionais e estudos de difusão e falhas.

Arquitetura e desempenho

Fonte pulsada, óptica de alta dinâmica e DiP

A arquitetura foi desenvolvida para manter velocidade, resolução em profundidade e flexibilidade de materiais na mesma plataforma.

Consultar catálogo completo
Fonte de descargaPlasma RF de 13,56 MHz, baixa pressão e operação pulsada.
Cobertura espectral120–800 nm, do VUV ao infravermelho.
Detecção ópticaMedição simultânea com High Dynamic Detection e opção de monocromador de alta resolução.
Perfil em profundidadeDo primeiro nanômetro a mais de 150 µm, conforme material e método.
DiPInterferometria diferencial para medição simultânea da profundidade e das taxas de erosão.
MateriaisCondutores, não condutores, polímeros, híbridos, filmes finos e camadas espessas.
ProdutividadeCompartimento amplo e Sample Mapping Unit opcional para medições automatizadas em múltiplos pontos ou amostras.
SoftwareQuantum para concentração, porcentagem atômica, profundidade, espessura e peso de coating.

Dados resumidos do catálogo oficial HORIBA. O desempenho depende da configuração óptica, do anodo, do material, da calibração e das condições de análise.

Enquadramento da solução

Antes de definir a configuração

A matriz, a geometria, a concentração esperada e o tipo de informação desejada determinam o método e os acessórios necessários.

Indicações técnicas

O objetivo é medir perfis elementares da superfície ao substrato.
Camadas, interfaces ou gradientes precisam ser resolvidos rapidamente.
A amostra inclui materiais não condutores ou sensíveis ao calor.
Elementos leves, incluindo H, O, C ou N, são importantes para a aplicação.

A configuração deve considerar...

Geometria, planicidade, área disponível e espessura da amostra.
Elementos, linhas espectrais e faixa de concentração esperada.
Espessura das camadas e resolução em profundidade necessária.
Necessidade de DiP, automação, acessórios para pequenas amostras ou manuseio especial.
Material técnico

Catálogo do GD-Profiler 2

Arquivo oficial incorporado nesta página. O download funciona sem abrir servidores externos.

PDF

GD-Profiler 2 · Pulsed RF GDOES com DiP

Catálogo técnico oficial HORIBA com princípio, desempenho, aplicações, fonte, óptica, software e acessórios.

Perguntas frequentes

O essencial sobre o GD-Profiler 2

Informações para a avaliação inicial da aplicação.

O GD-Profiler 2 analisa materiais não condutores?

Sim. A fonte RF pulsada permite trabalhar com materiais condutores e não condutores, além de estruturas híbridas, conforme geometria e método.

O equipamento mede a profundidade diretamente?

Com o recurso DiP, a interferometria diferencial mede a profundidade e a taxa de erosão simultaneamente à análise GD. Sem DiP, a conversão pode usar calibração da taxa de erosão.

Qual é a escala de profundidade coberta?

O catálogo posiciona o sistema desde o primeiro nanômetro até mais de 150 micrômetros, dependendo do material, da camada, do anodo e das condições analíticas.

A técnica é destrutiva?

Sim. A descarga pulveriza uma área localizada e produz uma cratera na amostra.

É possível automatizar várias medições?

Sim. O Sample Mapping Unit opcional pode automatizar medições em diferentes pontos ou em um lote de amostras compatíveis.

Avalie seu revestimento, interface ou material multicamada.

Envie à SENS a composição esperada, o tipo de camada, a espessura e a geometria disponível para análise.

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